MOSFET 500V kênh N FQPF18N50C TO-220F ( 12A2.1 )

Giới thiệu

AOT5N50 & AOTF5N50 đã được chế tạo bằng cách sử dụng một quy trình MOSFET điện áp cao tiên tiến được được thiết kế để mang lại hiệu suất cao và mạnh mẽ trong các ứng dụng AC-DC phổ biến. Bằng cách cung cấp RDS(bật), Ciss và Crss thấp cùng với khả năng tuyết lở được đảm bảo những bộ phận này có thể được áp dụng nhanh chóng vào nguồn điện ngoại tuyến mới và hiện có thiết kế.

Mô tả

• Chỉ định loại: 5N50
• Loại Transistor: MOSFET
• Loại kênh điều khiển: N -Channel
• Tản điện tối đa (Pd): 125 W
• Điện áp nguồn xả tối đa |Vds|: 500 V
• Điện áp nguồn cổng tối đa |Vgs|: 30 V
• Dòng xả tối đa |Id|: 5 A
• Nhiệt độ tiếp giáp tối đa (Tj): 150 °C
• Thời gian tăng (tr): 46 nS
• Điện dung nguồn thoát nước (Cd): 80 pF
• Điện trở trạng thái nguồn xả tối đa (Rds): 1,2 Ohm